臺(tái)積電近日在北美技術(shù)研討會(huì)上宣布，正在研發(fā) CoWoS 封裝技術(shù)的下個(gè)版本，可以讓系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)尺寸增大兩倍以上，實(shí)現(xiàn) 120x120mm 的超大封裝，功耗可以達(dá)到千瓦級(jí)別。

　　根據(jù)臺(tái)積電官方描述，CoWoS 封裝技術(shù)繼任者所創(chuàng)建的硅中介層，其尺寸是光掩模(Photomask，也稱(chēng) Reticle，大約為 858 平方毫米)是 3.3 倍。

　　CoWoS 封裝技術(shù)繼任者可以封裝邏輯電路、8 個(gè) HBM3 / HBM3E 內(nèi)存堆棧、I / O 和其他芯粒(Chiplets)，最高可以達(dá)到 2831 平方毫米，最大基板尺寸為 80×80 毫米。消息稱(chēng) AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 都使用這種技術(shù)。

　　臺(tái)積電計(jì)劃 2026 年投產(chǎn)下一代 CoWoS_L，硅中介層尺寸可以達(dá)到光掩模的 5.5 倍，可以封裝邏輯電路、 12 個(gè) HBM3 / HBM3E 內(nèi)存堆棧、I / O 和其他芯粒(Chiplets)，最高可以達(dá)到 4719 平方毫米。

　　臺(tái)積電還計(jì)劃在 2027 年繼續(xù)推進(jìn) CoWoS 封裝技術(shù)，讓硅中介層尺寸達(dá)到光掩模的 8 倍以上，提供 6864 平方毫米的空間，封裝 4 個(gè)堆疊式集成系統(tǒng)芯片 (SoIC)，與 12 個(gè) HBM4 內(nèi)存堆棧和額外的 I / O 芯片。