GlobalFoundries(格芯)今天宣布，已經(jīng)使用30m毫米晶圓，認(rèn)證了行業(yè)首個(gè)90nm制造工藝的硅光子芯片，未來(lái)將使用更新的45nm工藝提升帶寬和能效，推動(dòng)數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用的新一代光學(xué)互連。

　　不同于利用銅線電信號(hào)傳輸數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)硅互連，硅光子技術(shù)使用光纖光脈沖，以更高的速度，在更遠(yuǎn)距離上傳輸數(shù)據(jù)，并降低能耗，可應(yīng)對(duì)全球通信基礎(chǔ)設(shè)施中的大規(guī)模數(shù)據(jù)增長(zhǎng)。Intel、IBM都在深入研究硅光子技術(shù)。

　　GF表示，其硅光子技術(shù)可在單個(gè)硅芯片上并排集成微小光學(xué)組件與電路，“單芯片”方案利用標(biāo)準(zhǔn)硅制造技術(shù)，提高部署光學(xué)互連系統(tǒng)的效率，并降低成本。

　　GF的最新硅光子產(chǎn)品依托90nm RF SOI工藝，發(fā)揮了其在制造高性能射頻(RF)芯片方面積累的一流經(jīng)驗(yàn)，可以提供30GHz帶寬的解決方案，客戶端數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到800Gbps，傳輸距離也增加到120km。

　　該技術(shù)此前使用的晶圓為200毫米，而今GF利用位于紐約州東菲什基爾的10號(hào)晶圓廠，認(rèn)證了300毫米直徑的晶圓。

　　更大尺寸的晶圓有助于提高產(chǎn)能和生產(chǎn)率，讓光子損失減少2倍，擴(kuò)大覆蓋范圍，實(shí)現(xiàn)效率更高的光學(xué)系統(tǒng)。

　　Cadence Design Systems公司用于E/O/E、協(xié)同設(shè)計(jì)、極化、溫度和波長(zhǎng)參數(shù)的完整PDK支持90nm技術(shù)，并提供差異化光子測(cè)試能力，包括從技術(shù)認(rèn)證和建模到MCM產(chǎn)品測(cè)試的五個(gè)測(cè)試部分。

　　GF的下一代單芯片硅光子產(chǎn)品將采用45nm RF SOI工藝，計(jì)劃2019年投產(chǎn)，功耗更低，體積更小，光學(xué)收發(fā)帶寬更高，可滿足新一代兆兆位應(yīng)用。