三星今日宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。
新的內(nèi)存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4 DRAM芯片組成。
三星稱，新品取代的是2014年推出的20nm級16GB SoDIMM模組，后者的單芯片容量是8Gb。
當然，換用更先進的制造工藝和采用更高容量后，不僅功耗減少39%，速度也快了11%。
按照三星的官方數(shù)據(jù)，配備2x32GB新內(nèi)存的游戲本，活動功耗會低于4.6瓦，空閑功耗會低于1.4瓦。
目前，三星的10nm工藝級的DRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。
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