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SK海力士開發(fā)完成首顆DDR5-6400內(nèi)存芯片:2GB容量、電壓1.1V

2019/02/22 16:09      快科技 萬南 [No.L001]


  本周,JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)正式發(fā)布了LPDDR5低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),最高頻率設(shè)計為6400MHz,比第一代LPDDR4翻番,將為手機、平板、汽車等產(chǎn)品驅(qū)動更高性能提供保障。

  不過,用于PC的DDR5內(nèi)存(Double Data Rate 5)標(biāo)準(zhǔn)仍舊懸而未決。

  在舊金山舉辦的ISSCC(International Solid State Circuits Conference,國際固態(tài)電路會議)上,SK海力士芯片設(shè)計師Dongkyun Kim發(fā)表了公司首顆DDR5-6400芯片,基于1ynm工藝,76.22mm2大小。

  規(guī)格方面,針腳速度6.4Gb/s,電壓1.1V,單片容量16Gb(2GB)。

  按目前的規(guī)范所指,DDR5的內(nèi)存頻率和容量將是DDR4的兩倍。遺憾的是,本來外界猜測DDR5正式標(biāo)準(zhǔn)在2018年底敲定,可如今仍在修訂中,預(yù)計最快今年末才能見到DDR5內(nèi)存條成品。

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