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西數(shù)發(fā)布iNAND EU511閃存芯片:UFS 3.0、寫入達(dá)750MB/s

2019/02/25 16:00      快科技 萬南 [No.L001]


  三星S10似乎并未配備LPDDR5內(nèi)存和UFS 3.0閃存,不過折疊屏Galaxy Fold則內(nèi)建了512GB UFS 3.0閃存。

  事實(shí)上,LPDDR5由于剛剛公布正式規(guī)范,按計(jì)劃2020年才會登陸消費(fèi)級產(chǎn)品。而UFS 3.0閃存則提前不少,但可能因?yàn)槌杀竞椭С值腟oC(僅驍龍855、三星Exynos 9820等)較少的緣故,大規(guī)模的普及還需要醞釀。

  MWC 2019期間,Western Digital(西部數(shù)據(jù))發(fā)布了iNAND MC EU511閃存芯片,采用96層3D NAND,符合UFS 3.0規(guī)范。

  性能方面,基于SmartSLC Generation 6,順序?qū)懭胨俣雀哌_(dá)750MB/s。

  容量方面,單芯片64GB起步,最大512GB。

  此前,iNAND產(chǎn)品歸屬與SanDisk(閃迪),可以看出被西數(shù)收購后,后者要進(jìn)一步強(qiáng)化統(tǒng)一化的品牌管理,機(jī)械硬盤領(lǐng)域的HGST(昱科)也是一樣道理。

  當(dāng)然,UFS 3.0設(shè)計(jì)的最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)2.9GB/s。

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