根據(jù)集邦咨詢(xún)近日發(fā)布的報(bào)告，業(yè)內(nèi)人士稱(chēng) 2023 年為“8 英寸 SiC 元年”，Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等全球功率半導(dǎo)體巨頭都加快了 8 英寸 SiC 的研發(fā)步伐，而我國(guó)在 SiC 生產(chǎn)裝備、襯底和外延等方面都取得了重大突破。

　　集邦咨詢(xún)表示，目前國(guó)內(nèi)至少有 10 家企事業(yè)單位正在推進(jìn) 8 英寸碳化硅(SiC)基板的開(kāi)發(fā)，IT之家在此附上列表如下：

　　包括山西爍科晶體(Semisic)

　　晶盛機(jī)電(JSJ)

　　山東天岳先進(jìn)科技(SICC)

　　廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)(Summit Crystal)

　　河北同光(Synlight)

　　中國(guó)科學(xué)院物理研究所

　　山東大學(xué)

　　北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體(TankeBlue)

　　哈爾濱科友半導(dǎo)體(KY Semiconductor)

　　杭州乾晶半導(dǎo)體(IV-Semitec)。

　　作為第三代半導(dǎo)體材料，SiC 具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、優(yōu)異的導(dǎo)熱性能等優(yōu)點(diǎn)。其在高溫、高壓和高頻應(yīng)用中的出色性能使其成為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的基石。

　　在下游需求增長(zhǎng)的推動(dòng)下，SiC 產(chǎn)業(yè)正處于高速擴(kuò)張階段。TrendForce 分析預(yù)測(cè)，2023 年 SiC 功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 22.8 億美元(IT之家備注：當(dāng)前約 166.9 億元人民幣)，年增長(zhǎng)率高達(dá) 41.4%。到 2026 年，這一市場(chǎng)預(yù)計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)大，達(dá)到 53.3 億美元(當(dāng)前約 390.16 億元人民幣)。

　　電動(dòng)汽車(chē)、5G 通信、光伏和內(nèi)存存儲(chǔ)等領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的需求目前正在推動(dòng)碳化硅(SiC)行業(yè)的快速增長(zhǎng)。中國(guó)的主要參與者正在加大研發(fā)力度，以克服技術(shù)挑戰(zhàn)并獲得可觀(guān)的市場(chǎng)份額。

　　根據(jù) TrendForce 的分析，目前 SiC 產(chǎn)業(yè)以 6 英寸基板為主，占據(jù)了高達(dá) 80% 的市場(chǎng)份額，而 8 英寸基板僅占 1%。向更大的 8 英寸晶圓過(guò)渡是進(jìn)一步降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵策略。隨著 8 英寸晶圓的成熟，其定價(jià)預(yù)計(jì)將是 6 英寸晶圓的 1.5 倍左右，而管芯產(chǎn)量是 6 英寸 SiC 晶圓的約 1.8 倍，大大提高晶圓利用率。

　　從行業(yè)角度來(lái)看，SiC 器件的成本結(jié)構(gòu)包括襯底、外延、流片和封裝工藝，其中襯底占總生產(chǎn)成本的 45% 左右。

　　為了降低每個(gè)器件的成本，該策略圍繞著擴(kuò)大 SiC 襯底和增加每個(gè)襯底的芯片數(shù)量。值得注意的是，8 英寸 SiC 襯底比 6 英寸同類(lèi)襯底具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。

　　襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。

　　外延(epitaxy)是指在經(jīng)過(guò)切、磨、拋等仔細(xì)加工的單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的過(guò)程，新單晶可以與襯底為同一材料，也可以是不同材料(同質(zhì)外延或者是異質(zhì)外延)。