[No.L001]
3月7日消息，東芝和合作伙伴西部數(shù)據(jù)日前宣布，已經(jīng)完成了128層3D NAND Flash芯片的開發(fā)，預(yù)計商用名會是BiCS-5。
BiCS-5理論容量密度提升約33%，晶片容量為512Gb(64GB)，計劃2020年到2021年期間商用。
性能方面，BiCS-5芯片采用單Die四矩陣技術(shù)，寫速相較于兩矩陣翻番，達(dá)到132MB/s。這個速度怎么理解?就是SLC緩存飽和之后的SSD的真實寫速。
有趣的是，128層產(chǎn)品為TLC，而非QLC，原因是后者的產(chǎn)能還很低。
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